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1nm 之后晶体管怎么走？泛林集团探索 SA-CFET 架构，SRAM 单元面积较 N3 缩小 52.7%
国内 · 清晨简报 · 发布于 2026-10-04 · 0 次阅读
来源：IT之家 · 2026-10-04
IT之家 10 月 5 日消息，随着先进制程不断向 1nm 及以下节点推进，传统 GAA 纳米片晶体管在漏电、迁移率、寄生电阻以及制造工艺波动等方面面临越来越大的挑战。 当地时间 9 月 29 日，全球前三的晶圆制造设备厂商泛林集团（Lam Research）提出一种自对准互补场效应晶体管（SA-CFET）架构，有望将 CMOS 晶体管继续推进至 10 Å（1nm）及以下。 SA-CFET 的核心
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